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广西大学赵祯霞课题组ACB :通过配体插层策略实现MOF/COF的高密度集成促进光催化低浓度CO₂还原

广西大学赵祯霞课题组ACB :通过配体插层策略实现MOF/COF的高密度集成促进光催化低浓度CO₂还原

发布日期:2026-04-29 来源:贝士德仪器



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针对工业烟气中低浓度CO2~15%)难以被直接光催化转化利用的挑战,本研究提出了一种全新的层间配体插层策略,成功制备了高密度集成的MOF/COF复合光催化剂(COF-T/U66N)。该材料通过将U66N精确植入功能化的COF-T层间,构建了有序的MOF/COF异质结结构。这一独特设计不仅显著增强了材料对低浓度CO2的捕获和富集能力(吸附量达37.20 cm³/g),而且优化了光生电荷的分离与传输路径,大幅降低了关键中间体*COOH的生成能垒。实验结果表明,COF-T/U66N在模拟太阳光下还原15% CO2的产CO速率高达65.0 µmol·g-1·h-1,选择性接近100%,且在五次循环测试后仍保持优异的稳定性。该研究为设计面向实际应用的低浓度CO2高效转化材料提供了全新的思路。
背景介绍
CO2光催化转化为CO等燃料是缓解能源危机和实现双碳目标的重要途径之一。然而,目前大多数研究集中在高纯CO₂气氛下,而实际的工业烟气中CO2浓度通常仅为10-15%。在此低浓度条件下,CO2分子的传质驱动力严重不足,导致绝大多数光催化剂活性骤降。因此,开发兼具优异CO2捕获能力和高效光催化转化能力的材料,是实现烟气CO₂直接资源化利用的关键科学难题。金属-有机框架(MOFs)材料具有结构明确的金属活性位点和高比表面积,但存在光吸收范围窄和光生载流子易复合的缺点。共价有机框架(COFs)材料则以其优异的可见光吸收能力和可调的孔道结构而著称,但缺乏高效的催化活性中心。如何将两者的优势有机结合,构建一个集吸附-富集-催化于一体的集成系统,是该领域的研究热点和难点。
研究思路
本研究以工业烟气低浓度CO₂~15%)光催化转化难的核心问题为导向,提出层间配体插层策略:首先通过苯甲酸功能化COFCOF-T)引入羧基锚点并扩大层间距,进而引导NH2-UiO-66(Zr)COF-T层间原位生长,构筑了COFMOF紧密桥接的高密度集成异质结。该结构通过界面新生孔道增强CO₂富集,借助Zr-O强配位键构筑高效电荷转移通道,利用缺陷位点协同降低*COOH中间体生成能垒,最终实现了在15%低浓度CO2气氛下无需任何光敏剂和牺牲剂即可高效、高选择性(~100%)产CO的性能突破(65.0 µmol·g-1·h-1),为低浓度CO2直接资源化利用提供了从结构设计机理阐明的完整研究范式。
图文解析
合成示意图. COF-T/U66N的合成路线示意图

研究团队首先通过希夫碱反应合成TPB-DMTP-COF。随后,利用反应将苯甲酸配体接枝到COF骨架,获得功能化的COF-T。这一修饰不仅引入了大量的羧基作为U66N的成核位点,还通过配体插层效应扩大了COF的层间距。最后,通过溶剂热法使U66N前驱体与COF-T上的羧基配位,在空间位阻诱导下,U66N晶体在COF-T层间原位生长,形成紧密桥接的MOF/COF纳米集成平台。

图1  (a-e) U66N、COF、COF-T、COF/U66N和COF-T/U66N的SEM图像及Zeta电位,(f) COF-T/U66N的EDS元素分布图,(g) XRD图谱,(h) FTIR光谱,(i) 高分辨Zr 3d XPS光谱

扫描电镜显示,与COF/U66NU66N颗粒(~161 nm)无负载于COF表面不同,在COF-T/U66N中,粒径更小的U66N晶体(~96 nm)均匀地嵌入COF-T层间。XRDXPS分析进一步证实,由于COF-T层上羧基与U66NZr簇的强配位作用(Zr 3d结合能正移0.5 eV),两者之间形成了牢固的Zr-O化学键,而非简单的物理混合。这种紧密的界面接触是实现高效电荷转移的结构基础。

(a) N₂吸附-脱附等温线,(b) 相应的孔径分布曲线,(c) COF-T/U66N的孔结构模型示意图


N2吸附-脱附等温线和孔径分布曲线表明,COF-T/U66N的比表面积高达1425 m2/g,显著高于物理混合的COF/U66N697 m²/g)。更重要的是,其在~7 Å处出现了新的微孔,并在21-23 Å范围内形成了新的孔。这些新孔源于U66N晶体嵌入COF-T层间后在紧密界面处构筑的分子级空腔,为CO₂的吸附富集提供了更多活性位点。

 (a) CO2(b) 15% CO2气氛下,不同光催化剂的CO产量随时间变化曲线,(c) 对应的CO产率,(d) COF-T/U66N在不同反应条件下的CO产率对照实验,(e) 同位素13CO₂标记实验,(f) COF-T/U66N的循环稳定性测试,(g) COF-T/U66N与文献报道光催化剂的性能对比


性能测试结果显示,无论是在纯CO2还是15%低浓度CO2气氛下,COF-T/U66N表现出最优的CO产率,分别达到84.765.0 µmol·g-1·h-1CO选择性接近100%。在低浓度下,其性能是纯U66N4.5倍。对照实验和同位素¹³CO₂标记实验确证了CO产物来源于CO₂的光催化还原。经过5次循环测试后,材料性能无明显下降,XRD特征峰保持完好,显示出优异的稳定性。

4 (a) 电化学阻抗谱(EIS),(b) 循环伏安曲线(CV),(c) 光致发光光谱(PL),(d) 瞬态光电流响应,(e) 线性扫描伏安曲线(LSV),(f) 电子顺磁共振谱(EPR

光电化学测试表明,COF-T/U66N具有最小的电荷转移阻抗和最高的光电流密度(分别是纯COFU66NCOF/U66N11.23.02.1倍),表明光生电子-空穴对的分离效率被极大提升。EPR谱图进一步揭示,COF-T/U66N中存在更多的氧空位缺陷,这些缺陷可作为CO2的吸附和活化位点。

(a) UV-vis DRS光谱,(b) 相应的Tauc plot曲线,(c) Mott-Schottky曲线,(d) 能带结构示意图及电荷转移路径


UV-vis DRS光谱(Fig. 5a)显示,COF-T/U66N在可见光区域的吸收显著增强,其带隙由U66N2.90 eV缩小至2.70 eVFig. 5b)。Mott-Schottky测试(Fig. 5c)确定了U66NCOF-T的导带位置分别为-0.62 V-0.70 V。基于此构建的能带结构示意图(Fig. 5d)清晰地表明,两者构成type-II型异质结:COF-T更负的导带位置有利于光生电子向其表面注入,进而转移至U66NZr活性中心;而U66N的价带空穴则可向COF-T转移。这种空间上分离的电荷转移路径是实现高效电子-空穴对分离的关键。